1.7.3. Основні параметри та позначення інтегральних мікросхем


Повернутися на початок книги
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 
45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 
75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 
105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 

Загрузка...

♦          максимальна вхідна напруга - найбільша вхідна напруга інтегральної мікросхеми, при який вихідна напруга відпо-відає заданій;

♦          номінальна вхідна напруга - найменша вхідна напруга інтегральної мікросхеми, при якій вихідна напруга відпо-відає заданій;

♦          чутливість - найменша вхідна напруга, при якій елект-ричні параметри інтегральної мікросхеми відповідають за-даним;

♦          діапазон вхідних напруг - інтервал напруг від мінімальної вхідної напруги до максимальної;

♦          вхідна напруга - напруга на вході інтегральної мікросхе-ми у заданому режимі;

♦          максимальна вихідна напруга - найбільша вихідна напру-га, при якій зміни параметрів інтегральної мікросхеми відповідають заданим.

♦          струм споживання - струм, який споживається інтеграль-ною мікросхемою від джерел живлення в заданому ре-жимі;

♦          струм холостого ходу - струм, який споживається інтег-ральною мікросхемою при відключеному навантаженні;

 «Товарознавство»

♦          споживана потужність Р - потужність, яка споживаєть-ся інтегральною мікросхемою, що працює в заданому ре-жимі, від джерел живлення.

♦          вхідний опір - відношення збільшення вхідної напруги інтегральної мікросхеми до збільшення активної складо-вої вхідного струму при заданій частоті сигналу.

♦          вихідний опір - відношення збільшення вихідної напру-ги інтегральної мікросхеми до активної складової вих-ідного постійного або синусоїдального струму, що його викликала, при заданій частоті сигналу. Кількість дже-рел живлення і їхньої напруги істотно впливають на га-баритні розміри, масу, вартість і безпеку застосування цифрових пристроїв. Напруги, що відповідають логіч-ним константам, багато в чому визначають сумісність різних серій ІМС. Споживана потужність і швидкодія ІМС залежать від режиму роботи (статичний 0 або 1 на виході, переключення з 1 на 0 або з 0 на 1), входу, на який діє переключаючий сигнал параметрів наванта-ження й інших чинників.

Позначення типу інтегральних схем складається з декількох елементів.

Перший елемент позначає конструктивно-технологічну гру-пу ІС: напівпровідникові ІС - 1,5,7 (цифра 7 відноситься до безкорпусних інтегральних схем); гібридні ІС - 2, 4, 6, 8, інші ІС - 3.

Другий елемент - порядковий номер розробки (містить дві-три цифри).

Третій елемент - функціональне призначення інтегральної схеми (підгрупа і вид).

Четвертий елемент - порядковий номер розробки ІС у даній серії, у якій може бути декілька однакових за функціональною ознакою ІС. Він складається з однієї або декількох цифр.

Іноді наприкінці умовного позначення добавляється літера, що визначає технологічне відхилення електричних параметрів типономіналу У деяких серіях вона визначає тип корпусу, в якому випускається даний типономінал, що оговорюється в

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

технічній документації, наприклад, П – пластмасовий корпус, М – керамічний, металокерамічний і склокерамічний, Е – ме-талополімерний, І – склокерамічний планарний, А – пластма-совий і планарний.

Для інтегральних схем, які використовуються у пристроях широкого застосування, на початку умовного позначення ста-виться літера К, наприклад, інтегральний напівпровідниковий операційний підсилювач із порядковим номером розробки серії 40, порядковим номером розробки даної схеми в серії за функ-ціональною ознакою, призначений для пристроїв широкого застосування, – К140УД5.

Типи корпусів інтегральних мікросхем, їх габаритні розмі-ри, а також умовні позначення стандартизовані. За формою проекцій тіла корпусу на площину підстави і розташування виводів корпуси поділяють на п’ять основних типів. Корпуси типів 1,2,4 i 5 у проекції на площину підстави мають прямокут-ну форму, а корпус типу 3 аналогічний за формою корпусу малопотужних транзисторів, відрізняючись від останніх вели-ким числом виводів (8 або 12). Розташування виводів щодо площини основи в корпусах типів 1-3 перпендикулярне, а в корпусі типу 4 – паралельне. Корпус типу 5 – прямокутний, плоский, безвиводний. Електричне з’єднання ІС, розміщеної в такому корпусі, здійснюється за допомогою металізованих кон-тактних площадок за периметром корпусу. Корпуси мікросхем одного типу можуть розрізнятися за розмірами, кількістю ви-водів та їх розташуванням. За габаритними розмірами подібні за конструкцією корпуси підрозділяють на типорозміри, кож-ному з яких привласнюють шифр, що складається з позначки підтипу корпусу (12, 21, 31, 41) і двозначного числа, що позна-чає порядковий номер типорозміру. Інтегральні мікросхеми характеризуються сукупністю параметрів, що відповідають їх функціональному призначенню. Значення цих параметрів вка-зуються в технічній документації та довідкових даних. Парамет-ри окремих елементів ІС не наводяться. У довіднику серії мікросхем розташовуються в порядку зростання їх номера.

«Товарознавство»