1.7.2. Класифікація ІС


Повернутися на початок книги
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 
45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 
75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 
105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 

Загрузка...

Залежно від технології виготовлення інтегральні схеми діляться на напівпровідникові, плівкові та гібридні.

Напівпровідниковою інтегральною схемою називається ІС, всі елементи і міжелементні з’єднання якої виконані в середині та на поверхні напівпровідника.

Плівковою інтегральною схемою називається ІС, всі елемен-ти і міжелементні з’єднання якої виконані тільки у вигляді плівок. Варіантами технічного виконання плівкових інтеграль-них схем є тонко- і товстоплінкові ІС. До тонкоплінкових умов-но відносять ІС із товщиною плівок до 1 мкм, а до товстоплін-кових – ІС із товщиною плівок понад 1 мкм.

Гібридною інтегральною схемою називається ІС, що містить крім елементів, нерозривно зв’язаних із поверхнею підложки, прості та складні компоненти.

Таблиця 1.18.

Функціональна класифікація ІС

 

Підгрупа         Вид                 Позна-

                                               чення

Наймену-вання         Позна-чення  Найменування          Позна-чення  типономі-

нала

                        Гармонійних сигналів          С         ГС

                        Прямокутних сигналів         Г          гг

                        Сигналів, що лінійно                       

Генератори    Г          змінюються Сигналів спеціальної  Л         гл

                        форми Ф         ГФ

                        Шуму  м         гм

                        Інші     п          гп

                        Амплітудні     A         ДА

                        Імпульсні       и          ди

Детектори      Д         Частотні         с          ДС

                        Фазові ф          ДФ

                        Інші     п          ДП

 «Товарознавство»

Продовження таблиці 1.18

 

Підгрупа Вид Позна-

чення

типономі-

нала

Наймену-вання         Позна-чення  Найменування          Позна-чення 

 

Комутато-ри і ключі К         Струму

Напруги

Інші     Т Н П  КТ

кн кп

Багатофун-кціональні схеми            X         Аналогові Цифрові Комбіновані Тнпті      A

Л

к п       ХА

хл хк хп

Модулято-ри М        Амплітудні

Частотні

Фазові

Імпульсні

Інші     A

с ф и п            МА

мс

МФ

ми мп

Набори

елементів       н          Діодів

Транзисторів

Резисторів

Конденсаторів

Комбіновані

Інші     д т

р

Е

к п       нд нт

HP HE

нк нп

Перетво-рювачі        п          Частоти

Фази

Тривалості

Напруги

Потужності

Рівня (узгоджувачі)

Код - аналог

Аналог - код

Код - код

Інші     с ф

Д н

м

У A

в р п    пс

ПФ

пд пн пм

ПУ ПА

пв

ПР

пп

Схеми вто-ринних джерел живлення       Е          Випрямлячі Перетворювачі Стабілізатори напруги Стабілізатори струму Інші    в

м н т п            ЕВ

ЕМ ЕН ЕТ ЕП

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

Продовження таблиці 1.18

 

Підгрупа Вид Позна-

                                               чення

Наймену-вання         Позна-чення  Найменування          Позна-чення  типономі-

нала

Схеми за-тримки                  Пасивні          М        БМ

 

            Б          Активні Інші  Р

п          БР БП

                        Амплітудні (рівня сигна-     A         СА

Схеми се-лекції і порівняння                      лів)

Тимчасові

Частотні

Фазові

Інші     В

с ф п    СВ СС СФ

сп

                        Високої частоти        в          УВ

                        Проміжної частоти   р          УР

                        Низької частоти        н          УН

                        Імпульсні       и          УИ

                        Сигналів        Е          УЕ

Підсилю-        У         Повторювачі  Л         УЛ

вачі    

            Зчитування і відтворення    м         УМ

                        Індикації         т          УТ

                        Постійного струму    Д         уд

                        Операційні і диференціа-                

                        льні     п          УП

                        Інші                

                        Верхніх частот           в          ФВ

                        Нижніх частот           н          ФН

Фільтри          Ф         Смугові          Е          ФЕ

                        Режекторні     Р          ФР

                        Інші     п          ФП

Гібридні ІС виготовляються за тонко- або товстоплівковою технологією з використанням безкорпусних напівпровіднико-вих приладів і керамічних конденсаторів. Для гібридних інтег-ральних мікросхем виготовляються спеціальні безкорпусні ком-плектні елементи: діоди, діодні збірки, біполярні та польові транзистори, керамічні конденсатори. Захист безкорпусних елементів від короткочасного впливу зовнішнього середовища

 «Товарознавство»

до установки їх у ІС здійснюється за допомогою спеціального вологостійкого покриття або вологонепроникненого упакування.

Залежно від функціонального призначення інтегральні схе-ми діляться на дві основні групи – аналогові та цифрові.

До аналогових відносять ІС, призначені для перетворення й обробки сигналів, що змінюються за законом безупинної функції, цифрових – ІС, за допомогою яких перетворюються й оброблю-ються сигнали, виражені в двоїчному або іншому цифровому коді.

Аналогові та цифрові ІС випускаються у вигляді серій, які містять сукупність ІС, що виконують різні функції, але мають єдине конструктивно-технологічне виконання і призначені для спільного застосування. Інтегральні схеми однієї серії, як пра-вило, мають єдині напруги джерел живлення, які погоджені за вхідними і вихідними опорами, рівнями сигналів.

Таблиця 1.19.

Класифікація аналогових мікросхем за функціональним призначенням

 

ГрупаІС          Підгрупа ІС    Позначення   Приклади ІС

Аналогові ІС  Операційні підсилювачі       УД      К140УД1, К584УД1, К544УД1, К533УД1

 

            Диференційні підсилю-вачі УВ, УТ           К175УВ2, К198УТ1

            Підсилювачі високої, проміжної і низької час-тоти          УН, ХА,УР, УС,ЖА  КИ8УН1, K157XA1, К174УНЗ, К2ЖА371

 

            Стабілізатори напруги         ЕН       K142EH1, K142EH2

Аналого-

цифрові

ІС        Компаратори СА      К554САЗ

 

            Цифро-аналогові пере-творювачі   ПА      К594ПА1, К572ПА1

 

            Аналого-цифрові пере-творювачі  ПВ       К572ПВ1

 

            Аналогові ключі        КН      КР590КН8А

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

За конструктивно-технологічною ознакою всі цифрові ІС діляться на групи. За характером виконуваних функцій в апа-ратурі ІС підрозділяються на підгрупи і види всередині підгруп (табл. 1.20.).

Таблиця 1.20.

Класифікація цифрових ІС за функціональною ознакою

 

Підгрупа і вид ІС       Позначення

Формувачі імпульсів АГ, АФ, АП

Схеми обчислювальних засобів (сполучення з магі-страллю, синхронізації, управління вводом-виводом, встановлення часу, управління перери-ванням, управління пам'яттю, мікропрограмні, контролери, мікропроцесори, функціональні роз-ширювачі, мікропроцесорні секції, функціональні перетворювачі, мікрокалькулятори)   ВА, ВБ, ВВ, ВИ, ВН, УТ, ВУ, ВГ, ВМ, ВР, ВР, ВФ,

вх

Генератори    гл, гм, гп, гс

Детектори      ДА, ДИ, ДП, ДС, ДФ

Схеми вторинних джерел живлення         EC, ЕТ, ЕУ, ЕВ, ЕК, ЕН, ЕМ,ЕП

Схеми арифметичних і дискретних пристроїв (АЛП, шифратори, дешифратори, лічильники, су-матори, регістри та ін)            ИА, ИВ, ИД, ИЕ, ИК, ИЛ, ИМ, ИП, ИР

Логічні елементи      ЛА, ЛБ, ЛД, ЛЕ,

ли,лк,лл,лм,л

Н,ЛР,ЛС,ЛП

Схеми запам'ятовуючих пристроїв ( ПЗП, ОЗП, ЗП)       PA, РВ, PE, РМ, РП, РР, РТ, РУ, РФ,РЦ

Схеми порівняння    СА, СВ, СП, СС,СФ

Тригери          тв, тд, тк, тл,

ТМ, ТП, ТР, тт

 «Товарознавство»

Ступінь інтеграції логічних цифрових інтегральних мікрос-хем визначається числом найпростіших логічних елементів (табл. 1.21.). Функціональну складність ІС пристроїв, що запа-м’ятовують, можна оцінювати числом бітів пам’яті на кристалі.

Таблиця 1.21.

Характеристика ІС різного ступеня інтеграції

 

Умовне позначення Число найпростіших логічних елементів   Число бітів пам'яті на кристалі

ІС        До 10  До 100

СІС     100      1000

ВІС     1000    10000

НВІС   10000  100000

НВІС більш високого ступеня інтеграції    >1 000000      >1 0000000

СІС – інтегральна схема середнього ступеня інтеграції ВІС –інтегральна схема більшого ступеня інтеграції НВІС – інтегральна схема найбільшого ступеня інтеграції За схемої технологічної реалізації розрізняють такі види МС: транзисторні схеми (логіка) із резисторними (РТЛ) і ре-зисторно-конденсаторними (РКТЛ) зв’язками, діодно-транзи-сторні схеми (ДТЛ), емітернозв’язані транзисторні схеми (ЕЗЛ), транзисторно-транзисторні схеми (ТТЛ), інтегральні інжекційні схеми (ІІЛ або І2Л), ТТЛ- і ІІЛ- схеми з діодами Шотки (відповідно до ТТЛШ і ІІЛШ), схеми на p- і n-каналь-них транзисторах із структурою метал-окисел-напівпровідник, схеми на основі транзисторів із структурою метал-нітрид-оки-сел-напівпровідник (МОН), схеми на приладах із зарядовим зв’язком (табл. 1.22.).

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

Таблиця 1.22.

Характеристики для ІС, що виготовляються за різними технологіями

 

Тип

логіки  Серія   Потужність, мВт       Ступінь інтеграції

ТТЛ     K155, KM155            10        ІС, СІС

ТТЛШ K531, К555, KP1531, KP1533, К589, KP1802, KP1804   2-20 4-8          ІС, СІС МП, БІС

КМОП            K561   0,001   ІС, СІС

І2Л      К583   0,2       МП, БІС