1.6.3. Транзистори


Повернутися на початок книги
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 
45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 
75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 
105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 

Загрузка...

Транзистор - це електроперетворювальний напівпровідни-ковий прилад з одним або декількома електричними перехода-ми, який застосовується для посилення потужності сигналу. Найбільш поширені транзистори мають два електронно-діркових переходи. Двопереходні транзистори, у яких використовують два різних типи носіїв заряду (електрони і дірки), одержали назву біполярних. Основним елементом такого транзистора є кристал напівпровідника, в якому за допомогою домішок створені три області з різною провідністю. Якщо середня область має елект-ронну провідність типу п, а дві крайні - діркову провідність типу р, то такий транзистор належить до типу р-п-р на відміну від транзисторів п-р-п, що мають середню область із дірковою, a крайні області - з електронною провідністю. Кристал зміцнюють на спеціальному кристалотримачеві і поміщають у герметизова-ний металевий, пластмасовий або скляний корпус.

Транзистори класифікуються:

♦ за матеріалом провідника - германієві, кремнієві, арсе-нидові; германієві транзистори працюють в інтервалі температур від -60° до +78...850 С, кремнієві — від -60° до + 120°... 150е С;

 «Товарознавство»

♦          за технологічною ознакою розрізняють транзистори сплавні, сплавно-дифузійні, дифузійно-сплавні, планарні, епітаксиальні, конверсійні, епітаксиально-планарні;

♦          за потужністю - малої, середньої, великої потужності;

♦          за діапазоном робочих частот - низької, середньої і висо-кої частоти;

♦          за основними процесами руху інжектованш носіїв у базі -дрейфові та бездрейфові та ін.

Поряд із корпусними одержали поширення безкорпусні, в яких монокристал покривається спеціальною плівкою. Такі прилади використовують у гібридних плівкових інтегральних мікросхемах.

Таблиця 1.15.

 

Матеріал        Потужність розсіювання, Вт           Позначення при граничній частоті передачі струму

 

           

            до 5 МГц (низькочастотні)  більше 5 МГц (високочастотні)

Германій Кремній     До 0,25 (мала)           К..99 101...199           401...499 501...599

Германій Кремній     Більше 0,25 (велика) 201...299 301...399    601...699 701... 799

Біполярний транзистор може працювати в найрізноманіт-ніших режимах, які відрізняються схемою включення, частотою і формою сигналів. Для повного опису його властивостей по-трібно декілька сотень параметрів. Усі параметри транзистора можна розбити на три групи (гранично припустимі параметри, параметри номінальних режимів і функціональні параметри). Гранично припустимі параметри – це параметри, що нор-мують умови експлуатації транзисторів: максимально припу-стима потужність розсіювання колектора, максимальний струм колектора, напруга між колектором і загальним елект-родом транзистора. У групу гранично припустимих пара-метрів відносять також величини, що обмежують показники

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

зовнішнього середовища (температура, тиск, вологість) або механічних перешкод.

Параметри номінальних режимів визначають рекомендо-вані умови експлуатації (значення струмів і напруг ), при яких забезпечуються найкращі показники транзистора. Частіше всьо-го в паспорті транзистора задаються номінальні значення струмів і напруг на колекторі для різних схем включення (зво-ротний струм колектора, зворотний струм емітера).

Функціональні параметри дають безпосередню характери-стику властивостей транзистора як елемента електронних схем. При цьому враховуються вид електричних сигналів, для пере-творення яких використовується транзистор (вхідний опір, коефіцієнт передачі струму, коефіцієнт зворотного зв’язку, ви-хідна провідність, гранична частота посилення по струму).

Основні параметри транзисторів і характеристики вказують-ся у довідниках, у табл.1.16. наведені зведені дані по двох пара-метрах транзисторів, згруповані по типах транзисторів. У дов-ідниках наводяться до 25 параметрів з кожної марки транзистора.

Таблиця 1.16.

 

Типи транзисторів    Марка транзистора   Розсіювана потужність        Гранична частота

Мала потуж-ність, низько частотні            МП9-МП42,

МШ01-МШ16,

ГТ108-ГТ109 30-200 мВт    0,1-1 МГц

Мала потуж-ність, середньо-частотні        П29-П308, KT201-KT203    100-150 мВт  0,5-20 МГц

Мала потуж-ність, низько частотні            П401-П423, KT301, ГТ305-ГТ338, KT312-KT316, КТ339-КТ373, ГТ346-ГТ362 100-150 мВт  80-2400 МГц

Середня потуж-ність, низько частотні       П201-П203, П301-П304, ГТ403-ГТ405      4-10 Вт           8-100 кГгц

 «Товарознавство»

Продовження таблиці 1.16

 

Типи транзисторів    Марка транзистора   Розсіювана потужність        Гранична частота

Середня потуж-ність, середньо-частотні  П601-П606, П701      3 Вт     12-30 МГц

Середня потуж-ність, високочас-тотні      KT601-KT618, П607-П609  0,5-3 Вт          40-1500 МГц

Велика потуж-ність, низькочас-тотні        П213-П217, ГТ701,

1T701-1T702,

ГТ703-ГТ705 10-20 Вт         10-3000 кГц

Велика потуж-ність, середньо-частотні     П702, KT801-KT805, ГТ806, KT807-KT819         4-60 Вт           3-20 МГц

Велика потуж-ність, високочас-тотні        1T901, КТ902-КТ904, ГТ905, KT908-KT911        5-60 Вт           30-1000 МГц

Позначення типу біполярних транзисторів складається з декількох елементів.

Перший елемент позначає матеріал, із якого виготовлений прилад: германій або його сполуки – Г; кремній або його спо-луки – сполуки галія – А, для транзисторів, які використову-ються у пристроях спеціального призначення, установлені такі позначення вихідного матеріалу: германій або його сполуки – 1; кремній або його сполуки – 2; сполуки галія – 3.

Другий елемент – підклас напівпровідникового приладу. Для біполярних транзисторів другим елементом є літера Т.

Третій елемент – призначення приладу.

Четвертий та п’ятий елементи – порядковий номер роз-робки і технологічного типу приладу.

Шостий елемент – розподіл технологічного типу на пара-метричні групи.

Наприклад, транзистор, призначений для пристроїв широ-кого застосування, германієвий, низькочастотний малої потуж-ності, номер розробки 15, група А – ГТ115А. Приклади мало-Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

потужних низькочастотних транзисторів, виготовлених сплавле-ним методом: германієві (р-п-р) типів МП41, кремнієві (р-п-р) типу КТ104А і ін.

Приклади малопотужних високочастотних транзисторів — германієві дифузно-сплавні (р-п-р) ГТ310А, планарні ГТ313А, кремнієві дифузійні (п-р-п) КТ301А, планарні КТ315-Е.

У позначення модернізованих транзисторів входить літе-ра М (наприклад, МП101А, МП21В).

Польові транзистори

Польовим називають транзистор, у якому посилення сигна-лу управляється вхідною напругою, що відрізняє його від біпо-лярного, який управляється вхідним струмом. Польові транзи-стори в порівнянні з біполярними мають великі вхідні і вихідні опори і меншу крутизну прохідних характеристик. Робота по-льових транзисторів заснована на русі основних носіїв заряду в напівпровіднику.

Польові транзистори залежно від способу виготовлення й електричних характеристик діляться на дві групи: транзистори з р- п-переходом і з ізольованим затвором (МОП транзистори).

Основні параметри польових транзисторів – початковий струм стоку, гранична напруга, максимальна розсіювана по-тужність, максимальні напруги виводів польового транзистора. Польові транзистори мають такі умовні позначення: П1 – транзистори польові з розсіюваною потужністю не більше 1 Вт і fmах <30 МГц; П2-30... 300 МГц; П4 – більше 300 МГц; П7 – із розсіюваною потужністю більше 1 ВТ і fmах>30 МГц; П8-30...300 МГц; П9 – більше 300 МГц.

Приклад польових транзисторів з управляючим р-п-перехо-дом кремнієвий транзистор К102Е-Л.

Позначення типу польових транзисторів складається з дек-ількох елементів. Перший елемент означає матеріал, із якого виготовлений прилад: германій або його сполуки – Г; кремній або його сполуки – К, сполуки галія – А.

Для транзисторів, використовуваних у пристроях спеціаль-ного призначення, установлено такі позначення вихідного ма-«Товарознавство»

теріалу: германій або його сполуки – 1; кремній або його спо-луки – 2; сполуки галія – 3.

Другий елемент – підклас напівпровідникового приладу (літера П).

Третій елемент – призначення приладу (див. табл. 1.15).

Четвертий та п’ятий елементи – порядковий номер роз-робки і технологічного типу приладу (від 01 до 99).

Шостий елемент – розподіл технологічного типу на пара-метричні групи (літери російського алфавіту від А до Я).

Набори дискретних напівпровідникових приладів познача-ються відповідно до їхнього різновиду і перед останнім елемен-том добавляється літера С.

Наприклад: польовий транзистор, призначений для при-строїв широкого застосування, кремнієвий, малої потужності, високочастотний, номер розробки 03, група А – 2ПЗОЗА,