1.6. Напівпровідникові прилади 1.6.1. Загальна характеристика напівпровідникових приладів


Повернутися на початок книги
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 
45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 
75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 
105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 

Загрузка...

За своїм принципом дії всі напівпровідникові прилади діляться на дві групи. До першої з них відносять прилади, у яких використовуються об’ємні ефекти – залежність про-відності від температури (термистори), від освітлення (фотоопо-ри) та ін. (див. розділ 1.2), до іншої групи відносяться прилади, що працюють на контактних явищах (напівпровідникові діоди, транзистори, тиристори).

Основою конструкції напівпровідникового приладу є кон-тактне з’єднання напівпровідників, що мають різну провідність (p- і n-). У місці контакту створюється спеціальна область, яка називається електронно-дірковим переходом. Найважливішою властивістю р- n-переходу є його односто-роння провідність. Робота всіх напівпровідникових приладів заснована на використанні зазначеної властивості.

 «Товарознавство»

Прилади, що містять з’єднання : напівпровідник п- - на-півпровідник p- типу (електронно-дірковий перехід) і метал -напівпровідник - це діоди, біполярні транзистори, тиристори.

Прилади, що містять з’єднання метал-діелектрик і діелект-рик напівпровідник - це польові транзистори.

До недоліків відносяться залежність режиму роботи від температури навколишнього середовища, чутливість до пере-вантажень, відхилення параметрів, внаслідок чого окремі тран-зистори одного типу значно відрізняються між собою за свої-ми параметрами.