Warning: session_start() [function.session-start]: open(/var/www/nelvin/data/mod-tmp/sess_fe3caf31e70a766ad7b45bce3b337abb, O_RDWR) failed: Permission denied (13) in /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php on line 7

Warning: session_start() [function.session-start]: Cannot send session cookie - headers already sent by (output started at /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php:6) in /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php on line 7

Warning: session_start() [function.session-start]: Cannot send session cache limiter - headers already sent (output started at /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php:6) in /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php on line 7

Warning: file_get_contents(files/survey) [function.file-get-contents]: failed to open stream: No such file or directory in /var/www/nelvin/data/www/ebooktime.net/index.php on line 82
1.6. Напівпровідникові прилади 1.6.1. Загальна характеристика напівпровідникових приладів : Товарознавство. Промислове обладнання, прилади, інструменти : Бібліотека для студентів

1.6. Напівпровідникові прилади 1.6.1. Загальна характеристика напівпровідникових приладів


Повернутися на початок книги
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 
15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 
45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 
60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 
75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 
105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 

Загрузка...

За своїм принципом дії всі напівпровідникові прилади діляться на дві групи. До першої з них відносять прилади, у яких використовуються об’ємні ефекти – залежність про-відності від температури (термистори), від освітлення (фотоопо-ри) та ін. (див. розділ 1.2), до іншої групи відносяться прилади, що працюють на контактних явищах (напівпровідникові діоди, транзистори, тиристори).

Основою конструкції напівпровідникового приладу є кон-тактне з’єднання напівпровідників, що мають різну провідність (p- і n-). У місці контакту створюється спеціальна область, яка називається електронно-дірковим переходом. Найважливішою властивістю р- n-переходу є його односто-роння провідність. Робота всіх напівпровідникових приладів заснована на використанні зазначеної властивості.

 «Товарознавство»

Прилади, що містять з’єднання : напівпровідник п- - на-півпровідник p- типу (електронно-дірковий перехід) і метал -напівпровідник - це діоди, біполярні транзистори, тиристори.

Прилади, що містять з’єднання метал-діелектрик і діелект-рик напівпровідник - це польові транзистори.

До недоліків відносяться залежність режиму роботи від температури навколишнього середовища, чутливість до пере-вантажень, відхилення параметрів, внаслідок чого окремі тран-зистори одного типу значно відрізняються між собою за свої-ми параметрами.



Warning: Unknown: open(/var/www/nelvin/data/mod-tmp/sess_fe3caf31e70a766ad7b45bce3b337abb, O_RDWR) failed: Permission denied (13) in Unknown on line 0

Warning: Unknown: Failed to write session data (files). Please verify that the current setting of session.save_path is correct (/var/www/nelvin/data/mod-tmp) in Unknown on line 0